CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和Load Pull技术,采用0.18μmCMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器。在电源电压1.8 V,温度25°C,输入信号O dBm条件下,具有最大输出功率26.1 dBm,PAE为60.2%。