半导体特性分析仪和脉冲产生器测量电荷泵

电荷泵测量方法广泛应用于MOSFET元件的介面态密度测量。随着高介电常数(高)闸极材料的发展,已证明电荷泵对高薄闸极薄膜中电荷陷阱现象的测量极为有效。可以採用电荷泵测量方法来撷取介面陷阱密度,闸极漏电流的影响可以通过以下方法来解决:即测量较低频率上的电荷泵电流并在更高频率下获得的测量结果中减去这一数据。