一种20M低相位噪声晶体振荡器的设计[图]

设计了一种20M低相位噪声晶体振荡器。通过对振荡原理的分析,选取了Santos结构的振荡器进行设计。该晶体振荡器由主振荡电路、振幅控制电路两部分组成,用标准的0.18μm CMOS工艺实现,并通过Cadence平台下的软件进行仿真。结果表明,所设计的晶体振荡器的相位噪声在偏离中心频率1kHz、10kHz、1MHz处的相位噪声分别为:-121dBc/Hz、-145dBc/Hz、-165dBc/Hz,性能比较理想,可以满足射频芯片对晶体振荡器高相位噪声性能的需要。