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使用功率MOSFET封装技术解决计算应用的高功耗问题

上传者: 2020-10-28 04:07:58上传 PDF文件 148.82KB 热度 12次
VRM设计师喜欢相对较小的5mm×6mm SO-8封装。但由于这种封装是针对低功耗芯片设计的,因此不具备DPAK的热性能。量产的MOSFET多是SO-8大小的部件,并带有可焊接到PWB上的散热片。这类组件在全球的使用会越来越多,这些封装的热性能通常接近DPAK,而且在采用某些互连技术时,其寄生电阻和电感还可能更小,同时,PWB面积也减小一半。这也是许多电子设计师喜欢采用这种封装的原因。这是一个值得注意的进步;因为,典型的4相VRM 10产品具有一个高压侧MOSFET和两个低压侧MOSFET,总计12个。随
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