使用功率MOSFET封装技术解决计算应用的高功耗问题 上传者:ldgsky 2020-10-28 04:07:58上传 PDF文件 148.82KB 热度 12次 VRM设计师喜欢相对较小的5mm×6mm SO-8封装。但由于这种封装是针对低功耗芯片设计的,因此不具备DPAK的热性能。量产的MOSFET多是SO-8大小的部件,并带有可焊接到PWB上的散热片。这类组件在全球的使用会越来越多,这些封装的热性能通常接近DPAK,而且在采用某些互连技术时,其寄生电阻和电感还可能更小,同时,PWB面积也减小一半。这也是许多电子设计师喜欢采用这种封装的原因。这是一个值得注意的进步;因为,典型的4相VRM 10产品具有一个高压侧MOSFET和两个低压侧MOSFET,总计12个。随 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 ldgsky 资源:449 粉丝:0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台,下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容!联系邮箱:server@dude6.com