一种并发双频段CMOS LNA的分析与设计

基于0.13 μm CMOS工艺,设计了一种应用于WLAN IEEE 802.11 a/b/g标准的并发双频段低噪声放大器(LNA)。为了在功耗限制下同时实现噪声系数和输入阻抗的匹配,采用共源共栅电感退化拓扑结构。该LNA在2.4 GHz和5.2 GHz下,输入发射系数分别为-16.7 dB和-19.5 dB,正向增益分别为16.8 dB和17.2 dB。而且在2.4 GHz和5.2 GHz下,噪声系数分别取得了3.1 dB和3.2 dB,输入三阶截止点分别为-18.5 dBm和-16.5 dBm。该LNA在1.2 V电压供电下,所消耗的功耗为2.64 mW。