基础电子中的浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

导读:本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发,系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点,从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术,并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。 一、背景 绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件,具有MOS输入、双极输出功能。IGBT集Bipolar器件通态压降小、载流密度大、耐压高和功率MOSFET驱动功率小、开关