基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性 上传者：planetxzs 2020-10-28 03:55:59上传 PDF文件 209.5KB 热度 20次 本文采用恒定温度应力加速寿命试验对功率VDMOS的可靠性进行了研究,得到较为完整的可靠性数据,并分析得到引起其漏源电流IDS退化的主要失效机理是栅极击穿,从而为功率VDMOS类型器件的加工制造及应用等方面提供有价值的数据。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
