模拟技术中的关于分压 自偏压共源放大电路的仿真研究
引言 在由N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路中,由于所选用场效应管的性能参数不同,在理论计算中要考虑多项因素而导致理论计算复杂、繁琐,并且难以理解。如何利用功能强大的Multisim仿真软件用形象、直观的图表诠释难以理解的理论,显得尤为重要。目前相关方面的研究很少,本文以某一型号N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路为例,进行静态、动态和温度特性分析,并且与理论计算结果对比,得出分压-自偏压共源放大电路的Multisim电路仿真分析方法。 1 分压-自偏压共源放大电路工作原理 由N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源极放大电路
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