嵌入式系统/ARM技术中的瑞萨提供业内首个MCU 28nm制程片上闪存IP

导读:日前,瑞萨电子株式会社开发出一款28nm制程工艺的微控制器闪存工艺,此款28nm制程片上闪存IP是为满足MCU搭载的控制系统精密程度而开发出的高可靠性新型IP. 随着现代发动机油耗不断降低,要求新型控制机制能够对应新式燃烧方法的引入以及小型化所带来的进一步系统升级,这就需要在在提高性能的同时,还要降低能耗。而瑞萨一直致力于28 nm制程原型的研发,其外形较现有的40 nm制程更为精细。其新研发的MCU用28nm闪存IP能够支持16MB以上的片上闪存容量,是一种提高闪存集成密度以及扩充集成在单个芯片上的外设功能的方法。 28nm片上闪存IP具备高度读出性能,能够执行如发动机控制