GaAsSb双异质结双极晶体管集成电路DHBT技术

一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区,InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/μm2时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz,JC = 1.3 mA/μm2时开态击穿电压为BVcbx = 9 V 。典型  = 50。最大工作条件下 (Tj = 125 oC, JC = 2.0 mA/μm2) 达到MTTF> 1 × 106 小时的寿命使之适用于测试级别的应用。DHBTs 集成了3层互联金属,包括2级电阻和MIM电容。在3”生产线上这种IC 技术已被用于制造Agilent Techno