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基于混合SET/MOSFET的比较器

上传者: 2020-10-27 21:05:03上传 PDF文件 226.46KB 热度 5次
基于双输入单电子晶体管与MOSFET 的混合结构I-V 特性和数字电路的逻辑设计思想,提出了一种由5 个双栅极SET 和6 个MOSFET 构成的一位比较器电路结构。该比较器有以下优点:利用双栅极SET和 MOSFET 构成逻辑块使电路结构大为简化;减少了管子的数目;电压兼容性好,驱动性能高;输入和输出高低电平都接近于1V 和0V;静态总功耗低,为nW 级。仿真结果验证了它的正确性。
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