模拟技术中的CMOS电路中ESD保护结构的设计原理与要求

ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理,分析了该结构对版图的相关要求,重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。 1 引言 静电放电会给电子器件带来破坏性的后果,它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,CMOS电路的特征尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,而外围的使用环境并未改变,因此要进一步优化电路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面积尽可能小、ES