用于合成孔径辐射计的集成接收机设计

采用0.13 μm GaAs pHEMT工艺,提出一种Ka波段低噪声下变频单片式微波集成接收机,可满足合成孔径辐射计应用要求。该设计由4级低噪声放大器模块和由双平衡混频器组成的镜像抑制混频器组成。仿真结果显示,在输入信号频率为29~34 GHz时,芯片的变频增益为17~20 dB,镜像抑制度超过20 dBc,噪声系数为2.6~3 dB。