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基础电子中的安森美半导体实现高通QC3.0的完整方案

上传者: 2020-10-27 16:36:52上传 PDF文件 67.79KB 热度 16次
如今,智能手机、平板电脑等便携式设备随着用户的所需而不断增大屏幕和增多功能,耗电量明显增加,如何延长电池续航时间成为工程师需要解决的重要问题。同时,用户需要快速充电,使电源适配器所需的功率也增加,高通快速充电技术是应此需求而生。 高通快速充电技术概览 采用传统的5 V输入电压充电,由于输出大电流和线性阻抗产生的压降限制电池充电IC输入对输出电压余量,且产生更多热量和能效损失导致手机系统显着发热,而减小输出电流则需要更长的充电时间。高通快速充电技术突破传统5 V充电的限制,减少线路损耗,为电池充电IC提供充足的余量,改善热性能,实现更高转换能效,大大缩短充电时间。例如,若电缆
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