电源技术中的一种IGBT驱动电路的设计

IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的。IGBT具有复杂的集成结构,它的工作频率可以远高于双极晶体管。IGBT已经成为功率半导体器件的主流。在10~100 kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用。IGBT进一步简化了功率器件的驱动电路和减小驱动功率。 1 IGBT的工作特性。 IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。 当栅极施以正电压时,MOSFET内形成沟道,并为PNP晶体管提供基极电流,从而使IGBT导通。此时从N+区注入到N-区的空穴(少子)对N-区进行电导调制,减小IV区的电阻Rdr ,使阻断电压高的IGBT也具有低的通态压降。当栅极上施以负电压时。MOSFET