ST打造最灵活的宽带射频合成器STW81200

随着越来越多的无线标准和频带支持越来越多的应用,意法半导体开始支持市场对高性能和高集成度的需求。意法半导体新推出的STW81200射频合成器采用BiCMOS (SiGe) 制造技术,单片集成宽带压控振荡器(VCOs, voltage-controlled oscillators) 、双架构分数整数锁相环 (PLL, phase-locked-loop) 内核、低噪稳压器,以及符合各种射频要求的可编程硬件选件。 在基站、射频链接、卫星、通信、测试测量等射频应用中,系统的总体性能与射频合成器相噪特性密切相关。这些射频应用需要高集成度和优化的成本,同时又不能牺牲射频性能。在满足这些要求过程中,