电源技术中的封装寄生电感是否会影响MOSFET性能?

I.引言 高效率已成为开关电源(SMPS)设计的必需要求。为了达成这一要求,越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件,举例来说,降低器件的寄生电容,并实现低导通电阻,以降低开关损耗和导通损耗。这些快速开关器件容易触发开关瞬态过冲。这对SMPS设计中电路板布局带来了困难,并且容易引起了栅极信号振荡。为了克服开关瞬态过冲,设计人员通常采取的做法是借助缓冲电路提高栅极电阻阻值,以减慢器件开关速度,抑制过冲,但这会造成相对较高的开关损耗。对于采用标准通孔封装的快速开关器件,总是存在效率与易用性的折衷问题。 在处理电路板布局和器件封装产生的寄生电感时,快速开关器件接通和关断控