模拟技术中的介绍一种FRAM FM3116在复费率电能表中的应用设计

0 引言 铁电存储技术早在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品,目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年,FRAM又有新的发展,采用了0.35 m工艺,推出了3V产品,开发出“单管单容”存储单元的FRAM,最大密度可达256K位。 在单片机应用和智能仪器中,存储器已成为不可或缺的一部分,包括系统工作时存储临时性数据的RAM,以及永久性存储数据的非易失性存储器。RAM简单易用,存储速度快,但掉电数据易丢失;而非易失性存储器尽管能够长期保存数据,但存储速度慢,写入功耗高,而且读写次数受限。采用铁电存