ST推出高性能高整合的宽频RF合成器

随着无线标准和频带支援越来越多的应用,意法半导体(STMicroelectronic;ST)推出更符合高性能和高整合度市场需求的STW81200 RF合成器。新款STW81200 RF合成器采用BiCMOS (SiGe)制造技术,单晶片整合宽频电压控制震荡器(VCO)、双架构相位锁定回路(PLL)核心、低杂讯稳压器,以及符合各种RF要求的可程式硬体选项。 在基地台、无线电链接(radio link)、卫星、通讯、量测等应用中,系统的总体性能与RF合成器的相位杂讯(phase noise)密切相关。这些应用需要高整合度和最佳化的成本,同时又不能牺牲RF性能。在满足这些要求过程中,作为市场上