48L512.pdf

串行SRAM 功能 • 无限次读写: - 标准串行SRAM 协议 - 对称读写时序 • SRAM阵列: - 65,536 x 8 位(48L512) - 131,072 x 8 位(48LM01) • 高速SPI 接口: - 最高66 MHz - 施密特触发器输入用于噪声抑制 • 低功耗CMOS 技术: - 工作电流:5 mA (最大值) - 待机电流:200 μA (85°C 时的最大值) - 休眠电流:3 μA (85°C 时的最大值)