用集成驱动器优化GaN性能 上传者：haoffeng 2020-09-06 00:21:29上传 PDF文件 90KB 热度 22次 氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET,因为在同等导通电阻的情况下,氮化镓 (GaN) 晶体管 的终端电容较低,并避免了体二极管所导致的反向恢复损耗。下面一起来学习一下 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
