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基于IGBT模块驱动及保护技术

上传者: 2020-08-31 22:22:01上传 PDF文件 241.51KB 热度 27次
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
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