高性能S、C波段声表面波微波延迟线

随着晶片材料和半导体工艺技术水平的快速发展,本文作者通过扇型结构声表面波换能器的拓扑设计,晶片材料和制作工艺流程的优化设计,研制出S、C波段声表面波(SAW)微波延迟线,它比声体波(BAW)微波延迟线的结构、生产工艺流程更加简单,体积更小,延时精准度高、一致性好、可靠性高,更适合量产。