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差分放大器中的不匹配效应及消除方法研究

上传者: 2020-08-20 19:02:52上传 PDF文件 435.1KB 热度 10次
随着微电子制造业的发展,制作高速、高集成度的CMOS电路已迫在眉睫,从而促使模拟集成电路的工艺水平达到深亚微米级。因为诸如沟道长度、沟道宽度、阈值电压和衬底掺杂浓度都未随器件尺寸的减小按比例变化,所以器件的不匹配性随着器件尺寸的减小越加明显。
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