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AgGa1 xInxSe2单晶的生长研究

上传者: 2020-08-19 05:11:45上传 PDF文件 309.57KB 热度 6次
AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究,黄毅,赵北君,采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se 0.3~0.5% 配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa
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