III族氮化物异质结构二维电子气研究进展

Name: III族氮化物异质结构二维电子气研究进展
Rating: 4.5 (51 reviews)
Author: weixin_74670

上传者：weixin_74670 2020-08-18 05:10:46上传 PDF文件 1.2MB 热度 51次

III族氮化物异质结构二维电子气研究进展(GaN on Si HEMT)

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

III族氮化物异质结构二维电子气研究进展

III族氮化物异质结构二维电子气研究进展(GaN on Si HEMT)

大小：1.2MB | 2020-08-18 05:10:46
III族氮化物异质结构工艺性质和发光器件

III族氮化物异质结构:工艺、性质和发光器件

大小：869KB | 2021-02-22 19:42:25
论文研究III族氮化物异质结的极化效应及其器件应用.pdf

III族氮化物异质结的极化效应及其器件应用，张金风，郝跃，III族氮化物半导体材料体系具有独特的压电...

大小：0B | 2020-05-06 15:17:11
基于二维材料异质结的光探测器研究进展

二维材料异质结因其特有的层状结构和优异的光响应性质, 被认为具有应用于新一代光探测器件的潜力。二维材...

大小：26MB | 2021-02-23 22:27:22
二维光子晶体波导研究进展

二维光子晶体波导具有特殊的光子能带结构、可控色散、极小的几何尺寸和极强的非线性特性,近年来在非线性光...

大小：3.57MB | 2021-02-16 22:58:10
金属氮化物制备方法

一种简单有效的金属氮化物制备方法，金属氮化物是一种具有贵金属性质的化合物，在催化加氢等方面具有重要作...

大小：29KB | 2020-07-21 16:37:46
氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展

氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5...

大小：3.6MB | 2021-02-22 06:55:55
氮化物衬底材料的研究与开发

主办:上海市科委发展计划处上海市科学学研究所本期内容导读宽带隙...

大小：117KB | 2020-12-13 00:19:17
原子层外延生长III V族化合物薄膜机理的研究进展

介绍了用于外延生长III-V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了A...

大小：456KB | 2021-04-27 06:10:45
氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延

以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的III族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、...

大小：4MB | 2021-03-03 02:36:06
氮化镓单晶生长研究进展

氮化镓( GaN) 作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能...

大小：975KB | 2021-05-01 15:53:49
液化油中含氮化合物的研究进展

综述了液化油的研究现状,石油、焦化行业中含氮化合物的分离方法和技术现状,阐述了液化油中含氮化合物的研...

大小：222KB | 2020-07-17 14:58:25
传递矩阵法求解III族氮化物纤锌矿芯多壳纳米线中的界面光子

传递矩阵法求解III族氮化物纤锌矿芯-多壳纳米线中的界面光子

大小：1.20MB | 2021-04-18 09:10:49
来自AlGaN GaN异质结构中的偏置二维电子气的宽带太赫兹辐射

据报道,在6 K下,Al-.GaN / GaN异质结构中的二维电子气(2DEG)漂移引起的宽带太赫兹...

大小：504KB | 2021-03-20 05:51:48
氮化镓干法刻蚀研究进展

摘要:对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN7干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN1法刻蚀领域的研究进...

大小：493KB | 2020-12-22 12:49:13
基于二维材料气体传感器的研究进展

随着材料科学领域的发展,科学家们已先后制备或合成了一系列的二维(2D)纳米材料,包括石墨烯纳米片、二...

大小：997KB | 2020-12-30 19:21:56