使用钡化合物牺牲层制备羟基磷灰石结晶自立膜的直接方法

羟基磷灰石(HA)的独立式膜(FSM)是纯HA的薄片,没有任何支撑基质。 我们最初的HA的FSM制备过程包括三个步骤:第一步是将HA层沉积在溶剂可溶材料的牺牲层上,其次是通过溶解牺牲层来分离HA的FSM,第三步是后期-退火使HA的FSM结晶。 迄今为止,由于时间过长,后退火工艺已成为生产力的严重瓶颈。 在这份简短的报告中,我们提出了一种新型的牺牲层,即耐热和水溶性钡化合物,由于其耐热性,使得结晶的HA可以直接沉积,因为原始工艺存在的问题是以前的牺牲层没有耐热性和HA层应沉积为非晶态。 我们只能在1小时内沉积Ba-化合物牺牲层,然后直接沉积结晶的HA层,取代了20小时的后退火处理。 HA的FSM