一种高频开关应用的新型1200V IGBT模块

本文讲述了近来开发的、用于这一高频领域的IGBT模块的设计理念。由于在这些应用中工作频段为高频范围,因此器件的开关损耗是主要的功耗。通过降低背P+层载流子密度,减小IGBT芯片中元胞的重复步距,并优化IGBT/FWD通态电压与开关损耗之间的折衷关系,可以得到更低的开关损耗。因而,这种新开发的IGBT模块的总功耗比标准IGBT模块降低了25%。使用这种模块,能进一步提高效率、实现系统的小型化。