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入侵者轨道对富中子Ag同位素结构的影响

上传者: 2020-07-31 01:37:37上传 PDF文件 904.33KB 热度 11次
富含中子的113,118–121 Ag的低层高自旋环状谱带结构是首次使用瞬态γ射线光谱法对由9 Be(238 U,fγ)和 转移引起的裂变过程。 新获得的能级遵循相邻同位素的系统学。 能级序列显示出来自相应Cd核中状态的能量继承。 大型签名的惊人稳定性
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