场效应管发热的解决方法

场效应管发热的原因 1、电路设计的问题 就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。 2、频率太高 主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。 3、没有做好足够的散热设计 电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。