论文研究 四触点单镜对称霍尔板信噪比分析理论

这项工作给出了在小磁场下具有四个触点的经典霍尔板的信噪比（SNR）的分析理论。 与以前的工作相反，霍尔板的对称性仅减小到单个镜像轴，因此，该镜像轴外的两个输出触点的平均电位不同于镜像轴上两个电源触点的平均电位。 ，即输出共模不同于50％。 出乎意料的是，在霍尔板上耗散固定功率的情况下，与输出共模50％时的整体最佳状态相比，输出共模30％和70％时可达到的最大SNR仅小9％。 该理论适用于在硅BiCMOS工艺中顶表面上具有三个触点且一个触点是掩埋层的垂直霍尔效应器件。 发现具有大接触的几何形状，并且SNR仅损失适度。