Electronic energy loss of H$^+$ ions in silicon in \ E$leq$ 90 keV energy region 上传者：Hi-Tomorrow 2020-07-24 10:44:57上传 PDF文件 263.26KB 热度 21次 E$leq$ 90 keV能区的质子在硅中的能损的研究，张硕，王铁山，为了测量和修正质子在keV能区的能损,本工作利用10、25、80和90 keV的质子沿随机取向注入单晶硅靶,并采用共振核反应分析了氢在硅中的分� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 Hi-Tomorrow 资源：421 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
