H2S在GaN(0001)表面吸附和分解反应的密度泛函理

Name: H2S在GaN(0001)表面吸附和分解反应的密度泛函理
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Author: alpha86317033

上传者：alpha86317033 2020-07-23 14:46:05上传 PDF文件 530.91KB 热度 36次

H2S在GaN(0001)表面吸附和分解反应的密度泛函理，胡春丽，李俊篯，本文采用密度泛函理论方法对H2S分子在GaN(0001)表面的吸附和分解反应的过程进行了系统的研究。结果表明，H2S分子在清洁的GaN（0001）表�

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