论文研究 C扫描声扫描显微镜研究单晶SiC晶片中的不均匀性

在这项工作中，使用C扫描声学扫描显微镜（ASM）来绘制三个SiC样品的缺陷图。 声像表明晶片中有许多具有不同形状和面积性别歧视的缺陷。 一些缺陷的面积超过100,000μm2。 缺陷数范围为1至50个缺陷/晶圆。 缺陷映射对于修复或避免缺陷至关重要。 这项工作表明，ASM可以精确定位晶体缺陷的位置，从而可以修复缺陷并提高产量。