基于TemProcess的瞬变电磁探测精细化解释技术研究

通过对瞬变电磁二次场响应物理场特征进行研究,提取探测原始数据进行分析,研究观测窗口内电性特征,确定"斜阶越"效应消失后的观测窗口起始点以及晚期二次场观测窗口结束点,确定探测距离内最大有效观测范围。利用TemProcess精细化解释技术,得到高分辨的视电阻率成果图。经过工程案例应用,可以看出,瞬变电磁精细化解释技术可大幅提高瞬变电磁纵向分辨率,异常圈定位置与实际揭露位置高度吻合。