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n型Mg2Si0.6Sn0.4基半导体的热电性能研究

上传者: 2020-07-21 07:18:23上传 PDF文件 433.23KB 热度 16次
n型Mg2Si0.6Sn0.4基半导体的热电性能研究,张倩,朱铁军,采用感应熔炼然后热压的方法制备了n型Mg2Si0.6Sn0.4基半导体热电材料Mg2Si0.6-xBixSn0.4 (x = 0, 0.005, 0.010, 0.015)和Mg2Si0.6-yTeySn0.4 (y = 0, 0.005, 0.010,
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