LDMOS功率放大器的温补电路设计.pdf

LDMOS管是专为射频功率放大器设计的改进型n沟道M0SFET，常工作在AB类，在工作点附近具有正的温度特性， 即在一定的栅压下，当工作温度升高时，其静态电流IDo升高；当工作温度降低时，IDo降低。一般地，当LDMOS管热沉温度从20~C升高到100~C时，其静态工作电流ID0变化140％；当温度降低至01Z时，变化量也有30％。ID0变化会影响系统的增益、效率和线性等指标，其中又以线性影响最大。因此，在工作中维持功率管(特别是大功率管)I。Q恒定，是功放板设计的关键点之一。