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N3 掺杂对SiO2:Ce纳米材料发光性能的影响

上传者: 2020-07-19 12:32:43上传 PDF文件 233.23KB 热度 17次
N3-掺杂对SiO2:Ce纳米材料发光性能的影响,徐光青,郑治祥,分别采用化学掺杂和气氛控制方法对溶胶-凝胶法制备的SiO2:Ce纳米发光材料进行阴离子(N)掺杂,并采用透射电镜(TEM)、X射线光电子
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