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Fabrication and characterization of Ag implantation modificated TiO2 films follo

上传者: 2020-07-19 03:49:34上传 PDF文件 313.17KB 热度 21次
Ag离子注入后退火对TiO2薄膜光催化性能的影响研究,肖湘衡,徐进霞,Ag离子注入TiO2退火后,Ag离子进入TiO2的晶格形成了Ag2O和TiO2的混合氧化物。Ag2O是禁带宽度比较小的半导体,其禁带宽度约为1.2 eV [130]。TiO
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