电子 正电子an灭成高环水平的强子

在较高的回路水平上研究了电子-正电子an灭为强子的R比率的强校正。 具体来说，描述了常用的R-比率近似表达式的一般形式的推导（它构成了在高能下的截断再膨胀），阐述了相关的€2-项的出现，并说明了它们的基本原理。 功能进行了检查。 它证明了这种近似的有效范围被严格限制为s /Î> exp（Ï/ 2）≥4.81，并且当能量规模接近此值时，收敛速度相当慢。 明确推导了正确计算R比率所需的频谱函数，并研究了其在较高环路级别的性质。 谱函数的计算方法的开发使人们能够在任意循环水平上获得后者的显式表达式。 通过使用导出的频谱函数，可以计算出直至五环水平的R比率的正确表达式，并检查其特性。 结果表明，R比率