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论文研究 大电流、高品质因子碳化硅肖特基二极管研究 .pdf

上传者: 2020-07-18 01:41:38上传 PDF文件 474.42KB 热度 19次
大电流、高品质因子碳化硅肖特基二极管研究,宋庆文,张玉明,本文利用CVD方法生长厚度为10μm 的4H-SiC低掺杂同质外延材料,研制了有源区面积为2mmx2mm的肖特基结构功率整流二极管(Schottky Barrier diode-
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