在标准模型EFT中对希格斯玻色子的电弱校正衰减为γγ和W + W−

希格斯衰变以规范玻色子对是研究希格斯性质的关键因素，其中衰变H→γγ对新的物理效应特别敏感。 假设所有潜在的新物理学都发生在远远超过弱尺度的能量上，则可以根据标准模型有效场论（SMEFT）的系数来参数化与标准模型预测的偏差。 当SMEFT系数的实验极限达到百分之几的准确度时，必须进行超出SMEFT最低阶的预测才能使理论和实验准确度相匹配。 本文完成了一个对H→VV'，V = W±，Z，γ的单环电弱SMEFT校正的计算程序。 对H→W +W-γ的实际贡献的计算是通过将两个回路的振幅映射到三体相空间来进行的。