四环中微子模型受750 GeV的双光子过量启发

我们提出了一个四环诱导的辐射中微子质量模型，该模型受ATLAS和CMS最近报道的在750 GeV处双光子过量的启发，其中通过引入多个双电荷标量玻色子的光子融合获得了相当大的双光子过量。 我们还将讨论μ子异常磁矩和暗物质候选物。 解释观测到的文物密度的主要过程取决于新粒子在750 GeV的最终状态。 最后，我们显示了数值结果，并在模型中获得了几个物理值的允许区域。