论文研究 辐射硅晶体中与超快辐射有关的拟化学反应

本文报告的结果来自对位移的Si-自身原子（I）及其空位（V）与晶体硅（Si）中杂质的相互作用的研究，该相互作用是由微秒脉冲持续时间不同能量的电子辐照引起的：能量为3.5 MeV的3.5、14、25和50 MeV和皮秒脉冲持续时间。 VV，I-杂质原子和V-杂质原子之间的相互作用通过实验和计算机模拟进行了分析。 研究了剂量依赖性线性区域中空位（V2）积累的过程。 通过适当的扩散控制过程的计算机模型可以估计杂质对相关空位和已从规则晶格点位移的I原子重组的影响。 结论是，可以用位移I原子的强各向异性准一维扩散来定量解释实验结果。 此外，在皮秒级电子束辐照的影响之间发现了显着差异，这导致形成A中心（V