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130nm体硅SRAM和SOI SRAM器件单粒子翻转3D模拟与分析

上传者: 2020-07-17 18:56:14上传 PDF文件 522.37KB 热度 11次
130nm体硅SRAM和SOI SRAM器件单粒子翻转3D模拟与分析,李永宏,赵耀林,用半导体数值模拟软件Sentaurus TCAD构建了特征尺寸为130nm的体硅SRAM(Static Radom Access Memory)器件和SOI SRAM(Silicon On Insulator SRAM)器件的3D模
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