论文研究 Mn掺杂GaAs中磁性杂质的载流子极化自旋轨道耦合和交换场对反常霍尔电导率的相互作用

考虑杂质势（由于载流子的自旋与局部掺杂的自旋（Mn）和库仑的相互作用而产生的电势），我们开发了一种哈密顿量模型来处理类型（III，Mn，V）的稀磁半导体（DMS）中的异常霍尔电导率潜在）。 结合格林函数运动方程和电导率的量子久保公式，计算了反常霍尔电导率与自旋轨道耦合，交换场和载流子极化的关系。 计算结果表明，在低杂质浓度下，载流子的自旋极化，自旋轨道耦合和交换场之间的相互作用对于霍尔电导率异常的存在至关重要。 对于强自旋轨道耦合极限，观察到霍尔电导率异常随交换场的单调递增。 在弱的自旋轨道耦合极限中，异常霍尔电导率的大小随自旋轨道耦合而抛物线地增加。 我们的研究结果为理解自旋极化，自旋轨道耦