论文研究 CeO的程序升温还原和色散X射线吸收光谱研究

在这项工作中，我们研究了平均晶粒尺寸和掺杂氧化物对CeO2基纳米材料还原性的影响。 通过在400°C至900°C之间的不同温度下煅烧，从掺有Gd2O3-，Sm2O3-和Y2O3的CeO2粉末中制备样品，并通过X射线粉末衍射，透射电子显微镜和BET比表面积进行表征。 通过程序升温还原和原位色散X射线吸收光谱技术分析样品的还原性。 我们的结果清楚地表明，在较低的温度，最小的平均微晶尺寸和最高的比表面积下处理的样品表现出最佳的性能，而掺杂Gd2O3的氧化铈材料显示出比掺杂Sm2O3和Y2O3的CeO2更高的还原性。