论文研究 硅/碳纳米管的电子结构和光学性质的第一性原理研究

建立由碳纳米管（CNT）和硅纳米管（SiNT）形成的纳米管的超级电池。 通过基于密度泛函理论（DFT）和广义梯度近似（GGA）的第一原理方法来实现电子结构和光学特性。 计算结果表明（6，6）-（6，6）硅/碳纳米管（Si / CNT）的直接带隙为0.093 eV，（4，4）-（6，6）硅/碳纳米管直接带隙为0.563 eV。 价带的顶部基本上由Si-3p状态和C-2p状态决定，导带的底部主要由Si / CNT中的C-2p状态和Si-3p状态占据。 发现（6，6）-（6，6）Si / CNT具有较小的能带隙和更好的导电性。 另外，Si / CNT在紫外线带中具有令人满意的吸收特性和发光效率。