1. 首页
  2. 移动开发
  3. 其他
  4. SiC@SiO2同轴纳米电缆超疏水表面的制备、机理及稳定性

SiC@SiO2同轴纳米电缆超疏水表面的制备、机理及稳定性

上传者: 2020-07-17 14:29:09上传 PDF文件 831.31KB 热度 11次
SiC@SiO2同轴纳米电缆超疏水表面的制备、机理及稳定性,赵健,李镇江,近年来,为了获得自清洁及抗腐蚀表面,人们对SiC@SiO2同轴纳米电缆的超疏水改性产生了极大兴趣。在室温下,以FAS(CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3)�
下载地址
用户评论