SiC@SiO2同轴纳米电缆超疏水表面的制备、机理及稳定性 上传者：davidnini 2020-07-17 14:29:09上传 PDF文件 831.31KB 热度 35次 SiC@SiO2同轴纳米电缆超疏水表面的制备、机理及稳定性，赵健，李镇江，近年来，为了获得自清洁及抗腐蚀表面，人们对SiC@SiO2同轴纳米电缆的超疏水改性产生了极大兴趣。在室温下，以FAS(CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3)� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
