tanβ→∞的TeV级SUSY质量的大μ子(g − 2)

在MSSM中针对tanβ→∞研究了μ子的μ子磁矩异常。 与具有通常的有限tanβ的MSSM相比，这是一个辐射质子质量生成的有吸引力的示例，它具有完全不同的定性参数依赖性。 只有在存在质量分裂的情况下，才能解释实验值和标准模型值之间观察到的正差，从而使bino贡献高于wino贡献。 两种最有前途的案例的特征是希格西诺质量大，或左手猛子质量大。 详细研究了所需的质量分裂和所得的μSUSY。 结果表明，即使在所有SUSY质量都在TeV尺度上的情况下，也可以解释μ中的电流差异。 本文还提供了有用的分析公式，极限情况的近似值和基准点。